[13p-P4-1~4] 7.5 イオンビーム一般

[13p-P4-3] ヘリウムイオン顕微鏡技術を用いたSi・Au表面での微細加工の検討

〇前田 悦男¹、米谷 玲皇¹、飯島 智彦²、右田 真司²、小川 真一² (1.東大工、2.産総研)

キーワード：ヘリウムイオン顕微鏡技術

ヘリウムイオン顕微鏡（HIM）技術によるSiおよびAu表面における加工性能を評価したので報告する．Dose量を1.0×10¹⁹ ions/cm²とすることで，Si基板のブリスタリングを抑制することが可能であった。また、SiO₂を緩衝層とすることで、Auの良好な加工結果を得た。具体的には3 nm幅の設計値に対して、加工幅が2.7 nmとなった。