[13p-P5-1~64] 17 ナノカーボン（ポスター）

[13p-P5-51] 電子ビーム蒸着Mo膜の硫化によるMoS₂成長と評価

〇百瀬 友博¹、中村 篤志¹ (1.静大工)

キーワード：二硫化モリブデン

本研究は、電子ビーム蒸着法で堆積膜厚を制御した金属MoとS粉末を硫化原料に用いてMoS₂薄膜を成長し、その層数制御の可能性を検討した。
SiO₂/Si基板上Mo薄膜を、Ar雰囲気下で水素アニール処理後60分間硫化した。Mo膜の硫化後MoS₂の代表的なE¹_1g、A_1gバンドが得られ、Mo膜からMoS₂膜が形成された。さらに基板温度およびアニール処理が層数制御に与える影響について報告する。