1:30 PM - 3:30 PM
[13p-P5-51] Growth and characterization of MoS2 film via sulfurization of EB deposited Mo film
Keywords:Molybdenum disulfide
本研究は、電子ビーム蒸着法で堆積膜厚を制御した金属MoとS粉末を硫化原料に用いてMoS2薄膜を成長し、その層数制御の可能性を検討した。
SiO2/Si基板上Mo薄膜を、Ar雰囲気下で水素アニール処理後60分間硫化した。Mo膜の硫化後MoS2の代表的なE11g、A1gバンドが得られ、Mo膜からMoS2膜が形成された。さらに基板温度およびアニール処理が層数制御に与える影響について報告する。
SiO2/Si基板上Mo薄膜を、Ar雰囲気下で水素アニール処理後60分間硫化した。Mo膜の硫化後MoS2の代表的なE11g、A1gバンドが得られ、Mo膜からMoS2膜が形成された。さらに基板温度およびアニール処理が層数制御に与える影響について報告する。