[13p-P5-1~64] 17 ナノカーボン（ポスター）

[13p-P5-53] 分子線エピタキシー法を用いたNbSe₂原子層の成長とその評価

〇堀田 貴都¹、徳田 拓人¹、Zhao Sihan¹、渡邊 賢司²、谷口 尚²、篠原 久典¹、北浦 良¹ (1.名大理、2.物材機構)

キーワード：原子層物質

近年、層状物質からその単層（二次元金属）を取り出すことが可能となりつつあり、三次元のバルク金属とは大きく異なる物性が相次いで報告されている。しかし、二次元金属は二次元半導体に比べ薄膜試料を作製することが困難であることが研究のボトルネックとなっていた。本研究では、分子線エピタキシー法を用いて二次元金属の成長を試みた。発表では、試料の作製法に加えて、反射分光および電気特性の測定結果を合わせて議論する。