[13p-P5-1~64] 17 Nanocarbon Technology（Poster）

[13p-P5-61] Characterization of the performance of tungsten disulfide FET and its metal-semiconductor interface states

〇(M2)Nobuya Kawai¹, Keiji Ueno¹ (1.Saitama Univ.)

Keywords:transition metal dichalcogenides, layered materials

バンドギャップを持ち，層間剥離が容易で，表面が不活性かつ平坦な層状物質二硫化タングステンを半導体層としたFETを作製し，温度を可変（10-300 K）しながら測定を行なった。Cr/Au電極によって作製したFETはn型動作を示し，線形移動度は2 cm²/Vs，on/off比は3×10²であった。電流値からアレニウスプロットをとりその傾きからショットキー障壁の高さ（SBH）の算出をおこない，ゲート電圧，ドレイン電圧によるSBHの変調を確認した。