1:30 PM - 3:30 PM
[13p-P5-62] Field effect transistor application of hafnium diselenide atomic layers
Keywords:transition metal dichalcogenide, hafnium diselenide, layered material
ハフニウムの層状遷移金属ダイカルコゲナイドは,酸化ハフニウムの誘電率が高くゲート誘電体として有用であるため,表面酸化による低電圧駆動トップゲートFET形成に興味が持たれる。本研究では,まず二セレン化ハフニウムを用いてボトムゲートFET素子を作製し,動作特性の測定を行った。金電極によって作製したFETはn型動作を示し,移動度は1.63×10-2 cm2/Vs,on/off比は9.6であった。