1:30 PM - 3:30 PM
[13p-P5-63] Fabrication of top-gate FET using layered group-13 chalcogenide single crystals
Keywords:Indium selenide, layered material
本研究では層状InSeの単結晶成長、構造・物性評価、及びトップゲート型電界効果トランジスタ(FET)への応用を試みた。構造評価ではX線回折、ラマン分光の測定データが既報告と一致し、得られた単結晶がInSeであることが確認された。また、FETはn型動作を示し、飽和移動度は1.8 cm2/Vs、on/off比は1.7×103であった。既報告には性能が及ばないものの、InSeもトップゲート型FET動作をすることが確認された。