[13p-P5-1~64] 17 ナノカーボン（ポスター）

[13p-P5-62] 二セレン化ハフニウム原子層の電界効果トランジスタ応用

〇(M1)新倉 伸幸¹、河合 信哉¹、上野 啓司¹ (1.埼玉大院理工)

キーワード：遷移金属ダイカルコゲナイド、二セレン化ハフニウム、層状物質

ハフニウムの層状遷移金属ダイカルコゲナイドは，酸化ハフニウムの誘電率が高くゲート誘電体として有用であるため，表面酸化による低電圧駆動トップゲートFET形成に興味が持たれる。本研究では，まず二セレン化ハフニウムを用いてボトムゲートFET素子を作製し，動作特性の測定を行った。金電極によって作製したFETはn型動作を示し，移動度は1.63×10^－2 cm²/Vs，on/off比は9.6であった。