[13p-P5-1~64] 17 Nanocarbon Technology（Poster）

[13p-P5-63] Fabrication of top-gate FET using layered group-13 chalcogenide single crystals

〇(M2)Toru Tamura¹, Keiji Ueno¹ (1.Saitama Univ.)

Keywords:Indium selenide, layered material

本研究では層状InSeの単結晶成長、構造・物性評価、及びトップゲート型電界効果トランジスタ（FET）への応用を試みた。構造評価ではX線回折、ラマン分光の測定データが既報告と一致し、得られた単結晶がInSeであることが確認された。また、FETはn型動作を示し、飽和移動度は1.8 cm²/Vs、on/off比は1.7×10³であった。既報告には性能が及ばないものの、InSeもトップゲート型FET動作をすることが確認された。