[13p-P5-1~64] 17 Nanocarbon Technology（Poster）

[13p-P5-64] Gas sensor application of atomic layer FET using layered chalcogenide materials

〇(M1)Erina Ogihara¹, Nobuyuki Kawakami², Keiji Ueno¹ (1.Saitama Univ., 2.Kobe Steel, Ltd.)

Keywords:gas sensor, transition metal dichalcogenide, molybdenum ditelluride

層状遷移金属ダイカルコゲナイドの一つであるα-MoTe₂はFETが両極動作を示し、ガスセンサとして用いた場合に還元性，酸化性ガスの両方に反応することが期待できる。本研究ではまず，NO₂ガスセンサとしての応用を試みた。金をソース/ドレイン電極とするFETを5 ppmの濃度のNO₂と乾燥N₂を繰り返し曝露し，ドレイン電流値を測定したところ増減が確認できた。これにより，α-MoTe₂ FETはNO₂センサへの応用が可能である。