2016年 第77回応用物理学会秋季学術講演会

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[13p-P5-1~64] 17 ナノカーボン(ポスター)

2016年9月13日(火) 13:30 〜 15:30 P5 (展示ホール)

13:30 〜 15:30

[13p-P5-64] カルコゲナイド系層状物質原子膜FETのガスセンサ応用

〇(M1)荻原 えりな1、川上 信之2、上野 啓司1 (1.埼玉大院理工、2.神戸製鋼電技研)

キーワード:ガスセンサ、遷移金属ダイカルコゲナイド、二テルル化モリブデン

層状遷移金属ダイカルコゲナイドの一つであるα-MoTe2はFETが両極動作を示し、ガスセンサとして用いた場合に還元性,酸化性ガスの両方に反応することが期待できる。本研究ではまず,NO2ガスセンサとしての応用を試みた。金をソース/ドレイン電極とするFETを5 ppmの濃度のNO2と乾燥N2を繰り返し曝露し,ドレイン電流値を測定したところ増減が確認できた。これにより,α-MoTe2 FETはNO2センサへの応用が可能である。