[14a-A22-1~2] 8.10 プラズマエレクトロニクス賞受賞記念講演

[14a-A22-1] [プラズマエレクトロニクス賞受賞記念講演] バンドギャップチューニング可能なZnO系新半導体材料の開発

〇板垣 奈穂¹、松島 宏一¹、山下 大輔¹、徐 鉉雄¹、古閑 一憲¹、白谷 正治¹ (1.九大シス情)

キーワード：スパッタリング、酸化亜鉛

ZnOはこれまで，同じII-VI族のMgOやCdO等との混晶形成による物性制御が行われてきたが，結晶構造の違いのため生じる相分離の課題があり，その制御範囲は限られていた．そこで我々は，III-V族ではあるがZnOと同じウルツ鉱型の結晶構造を有するInNに着目し，これらの擬２元系混晶を形成することで可視全域でのバンドギャップチューニングを試みた．本講演では，低温非平衡プラズマにより実現した新材料(ZnO)_x(InN)_1-xの結晶構造や光学特性について紹介する.