[14a-A31-1~10] 6.3 Oxide electronics

[14a-A31-7] Enhancement electron mobility of Nb-doped SrTiO₃ film with a strain field induced by defect structures

〇Shunsuke Kobayashi¹, Tsuyoshi Ohnishi², Naoya Shibata³, Yuichi Ikuhara^1,3, Takahisa Yamamoto^1,4 (1.JFCC, 2.NIMS, 3.Univ. Tokyo, 4.Nagoya Univ.)

Keywords:SrTiO3, STEM, mobility

SrTiO3薄膜の高移動度達成のために、薄膜の高品質化が検討されてきている。一方で、高品質化による電子移動度向上には、本質的な電子散乱により理論的な限界値が存在する。この限界値を克服する一つの手段として、結晶に歪を加えることにより、バンド構造を変化させ移動度を向上させることができる。しかしながら、結晶に歪を導入する手法として、外部機構が必然的に必要となることから、デバイス応用が困難となる。そこで、本研究ではこれまでは全く異なるアプローチ、すなわち、欠陥構造を積極的に利用することで、結晶内部に歪を導入し、SrTiO3薄膜の高移動度を達成した。S. Kobayashi et al., ACS nano 9, 10769-10777 (2015).