2016年 第77回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.10 化合物太陽電池

[14a-A34-1~7] 13.10 化合物太陽電池

2016年9月14日(水) 09:45 〜 11:30 A34 (301B)

田中 久仁彦(長岡技科大)

11:00 〜 11:15

[14a-A34-6] ペロブスカイト半導体CsSnI3中の格子欠陥ペア形成エネルギー

中瀬 達哉1、新屋 ひかり2、真砂 啓1,2、福島 鉄也3、佐藤 和則4、吉田 博1,2 (1.阪大基礎工、2.阪大CSRN、3.阪大INSD、4.阪大工)

キーワード:新型太陽電池

ペロブスカイト半導体CH3NH3PbI3が新型の太陽電池として注目されているが、分解されやすいCH3NH3や有毒なPbを含むため代替物質の探求が望まれており、その1つがCsSnI3である。その変換効率は2012年時点で10.2 %であり、実用化に向け変換効率の上昇が求められる。本研究では第一原理計算を用い、CsSnI3を安定に合成できる条件下で生成されやすい欠陥ペアを調べ、低コストで作製可能な高効率太陽電池のデザインを行った。