[14a-A34-1~7] 13.10 化合物太陽電池

△ [14a-A34-6] ペロブスカイト半導体CsSnI₃中の格子欠陥ペア形成エネルギー

〇中瀬 達哉¹、新屋 ひかり²、真砂 啓^1,2、福島 鉄也³、佐藤 和則⁴、吉田 博^1,2 (1.阪大基礎工、2.阪大CSRN、3.阪大INSD、4.阪大工)

キーワード：新型太陽電池

ペロブスカイト半導体CH₃NH₃PbI₃が新型の太陽電池として注目されているが、分解されやすいCH₃NH₃や有毒なPbを含むため代替物質の探求が望まれており、その1つがCsSnI₃である。その変換効率は2012年時点で10.2 %であり、実用化に向け変換効率の上昇が求められる。本研究では第一原理計算を用い、CsSnI₃を安定に合成できる条件下で生成されやすい欠陥ペアを調べ、低コストで作製可能な高効率太陽電池のデザインを行った。