The 77th JSAP Autumn Meeting, 2016

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Oral presentation

13 Semiconductors » 13.9 Optical properties and light-emitting devices

[14a-A35-1~10] 13.9 Optical properties and light-emitting devices

Wed. Sep 14, 2016 9:00 AM - 11:45 AM A35 (303-304)

Takanori Kojima(Osaka Univ.)

10:45 AM - 11:00 AM

[14a-A35-7] Synthesis, crystal structure and photoluminescence of Ba5B2Al4Si32N52:Eu

Fumitaka Yoshimura1, Hisanori Yamane2 (1.Mitsubishi Chemical Gr. Sci. Tech. Res. Center, Inc., 2.IMRM, Tohoku Univ.)

Keywords:phosphor, nitride

窒化物混合粉を窒素加圧雰囲気中で加熱することにより新規窒化物Ba5B2Al4Si32N52:Euが合成された。単結晶X線反射は三斜晶系の格子定数で指数づけされる基本反射に加え、c 軸方向にディフューズな回折反射が確認され積層不整の存在が示された。分割サイトモデルについて結晶構造パラメータを精密化した。単結晶粒子の365 nm励起時の発光スペクトルはピーク波長475 nm、半価幅78 nmであった。