[14a-A37-1~10] 6.4 薄膜新材料

[14a-A37-5] MOCVD法によるCeO₂/SiO₂複合酸化膜の生成及び評価

〇菊地 健介¹、古矢 智也¹、鈴木 摂²、石橋 啓次²、山本 康博¹ (1.法政大理工、2.株式会社コメット)

キーワード：誘電体、高誘電率絶縁膜