[14a-B13-1~10] 13.5 デバイス／集積化技術

[14a-B13-10] 耐放射線性を有するSi-MOSFETの開発Ⅱ

〇秋山 周哲¹、大塚 正志¹、相澤 淳¹、石井 邦尚¹、吉沢 勝美¹、中田 智成²、渡辺 温²、持木 幸一³ (1.パイオニアマイクロテクノロジー(株)、2.パイオニア(株)、3.東京都市大学)

キーワード：半導体、耐放射線性、HEED

パイオニア独自の平面冷陰極アレイであるアクティブ駆動型HEED(High-efficiency Electron Emission Device)にHARP(High-gain Avalanche Rushing amorphous Photoconductor)膜を光電変換膜として組み合せた撮像素子は、小型・軽量な超高感度撮像素子として期待されている。HEEDの電子放出部は放射線照射による損傷は非常に少ないが、アクティブ駆動回路はSi-MOSFETで構成されているため、高放射線量下では損傷を受けることが知られている。今回、環状型のゲート電極構造をSi-MOSFETに適用し、γ線照射を行い、耐放射線性の向上を確認出来たので報告する。