[14a-B13-1~10] 13.5 Semiconductor devices and related technologies

[14a-B13-9] RF characteristics in InGaAs MOSHEMT on quartz glass substrate

〇Eiji Kume¹, Hiroyuki Ishii², Hiroyuki Hattori², Wen-Hsin Chang², Mutsuo Ogura¹, Tatsuro Maeda² (1.IRspec Corp., 2.AIST-NeRI)

Keywords:InGaAsOI, MOSHEMT, RF device

これまで、InGaAsを石英基板上へダイレクトウェハボンディングを用いて転写し、InGaAsOI-MOSFETを作製し、石英基板による寄生容量抑制の有効性を実証してきた。そこで、本研究ではInGaAs MOSFETより高い移動度が期待されるInGaAs MOSHEMTを石英基板上に作製し、DC特性とRF特性の評価を行った。ゲート長L_g=1μm、V_d=1Vでの最大相互コンダクタンスはg_mmax=422mA/mmを示した。また、遮断周波数はf_T=22GHzと前回のInGaAsOI-MOSFET(f_T=8.9GHz)より向上した。