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[14a-B13-4] 単一界面トラップの準位密度分布:”U字型”分布は定説か?
キーワード:半導体、界面トラップ、チャージポンピング法
チャージポンピング(CP)法を用いて単一MOS界面トラップのエネルギー準位密度分布(DOS)をはじめて実験的に導出した.この分布はPb0センターのDOSと酷似しており,界面トラップのDOSはいわゆる“U字型”をしているとの定説とは異なる.そこで,ホットキャリア・ストレス前後のMOSトランジスタにおける界面トラップのDOSの変化をCP法で評価して考察した.