[14a-B13-1~10] 13.5 デバイス／集積化技術

[14a-B13-4] 単一界面トラップの準位密度分布：”U字型”分布は定説か？

〇土屋 敏章¹、P. M. レナハン² (1.島根大総理工、2.ペンシルベニア州立大)

キーワード：半導体、界面トラップ、チャージポンピング法

チャージポンピング(CP)法を用いて単一MOS界面トラップのエネルギー準位密度分布(DOS)をはじめて実験的に導出した．この分布はP_b0センターのDOSと酷似しており，界面トラップのDOSはいわゆる“U字型”をしているとの定説とは異なる．そこで，ホットキャリア･ストレス前後のMOSトランジスタにおける界面トラップのDOSの変化をCP法で評価して考察した．