2016年 第77回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.5 デバイス/集積化技術

[14a-B13-1~10] 13.5 デバイス/集積化技術

2016年9月14日(水) 09:00 〜 12:15 B13 (展示控室5A-5B)

若林 整(東工大)

10:15 〜 10:30

[14a-B13-4] 単一界面トラップの準位密度分布:”U字型”分布は定説か?

土屋 敏章1、P. M. レナハン2 (1.島根大総理工、2.ペンシルベニア州立大)

キーワード:半導体、界面トラップ、チャージポンピング法

チャージポンピング(CP)法を用いて単一MOS界面トラップのエネルギー準位密度分布(DOS)をはじめて実験的に導出した.この分布はPb0センターのDOSと酷似しており,界面トラップのDOSはいわゆる“U字型”をしているとの定説とは異なる.そこで,ホットキャリア・ストレス前後のMOSトランジスタにおける界面トラップのDOSの変化をCP法で評価して考察した.