[14a-B13-1~10] 13.5 デバイス／集積化技術

[14a-B13-9] 石英基板上のInGaAs MOSHEMTの高周波特性

〇久米 英司¹、石井 裕之²、服部 浩之²、Chang Wen-Hsin²、小倉 睦郎¹、前田 辰郎² (1.アイアールスペック、2.産総研ナノエレ)

キーワード：InGaAs on 石英基板、MOSHEMT、高周波デバイス

これまで、InGaAsを石英基板上へダイレクトウェハボンディングを用いて転写し、InGaAsOI-MOSFETを作製し、石英基板による寄生容量抑制の有効性を実証してきた。そこで、本研究ではInGaAs MOSFETより高い移動度が期待されるInGaAs MOSHEMTを石英基板上に作製し、DC特性とRF特性の評価を行った。ゲート長L_g=1μm、V_d=1Vでの最大相互コンダクタンスはg_mmax=422mA/mmを示した。また、遮断周波数はf_T=22GHzと前回のInGaAsOI-MOSFET(f_T=8.9GHz)より向上した。