2016年 第77回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.6 Semiconductor English Session

[14a-B7-1~4] 13.6 Semiconductor English Session

2016年9月14日(水) 10:30 〜 11:30 B7 (展示ホール内)

小山 正人(東芝)

10:45 〜 11:00

[14a-B7-2] Activation of Silicon by Ion Implantation under Heating Sample

Keisuke Yasuta1、Masahiko Hasumi1、Tomokazu Nagao2、Yutaka Inouchi2、Toshiyuki Sameshima1 (1.TUAT、2.NISSIN ION EQUIPMENT Co.)

キーワード:Ion implantation, Activaiton