[14a-C41-7~12] 10.4 半導体・有機・光・量子スピントロニクス

[14a-C41-7] エピタキシャル強磁性合金/p-Ge/強磁性合金縦型構造におけるスピン伝導

〇山東 浩平¹、河野 慎¹、井川 昌彦¹、酒井 宗一朗¹、佐藤 浩²、山田 晋也¹、金島 岳¹、浜屋 宏平¹ (1.阪大基礎工、2.東京エレクトロン)

キーワード：ゲルマニウム、スピン伝導

我々はp-Ge/Fe₃Siエピタキシャル接合を作製することに成功しており，最近，この構造を用いた横型スピンバルブ素子においてp-Ge層を介した正孔スピン伝導の検出に成功している．今回，エピタキシャルFe₃Si/p-Ge/Fe₃Si縦型素子構造においてp-Ge層を介したスピン伝導の観測に成功したので報告する．