The 77th JSAP Autumn Meeting, 2016

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13 Semiconductors » 13.8 Compound and power electron devices and process technology

[14a-P6-1~20] 13.8 Compound and power electron devices and process technology

Wed. Sep 14, 2016 9:30 AM - 11:30 AM P6 (Exhibition Hall)

9:30 AM - 11:30 AM

[14a-P6-1] Evaluation of GaN Porous Structures using Electrochemical Impedance Spectroscopy

Keisuke Ito1, Xiaoyi Zhang1, Hirofumi Kida1, Yusuke Kumazaki1, Taketomo Sato1 (1.RCIQE,Hakkaido Uni.)

Keywords:GaN, Electrochemical Impedance Spectroscopy

電気化学的手法によって形成される窒化ガリウム(GaN)多孔質構造は、大表面積・低反射率を持つことから、太陽電池や光触媒電極など光ー化学ー電気エネルギー変換材料として有望である。本研究では多孔質構造表面の複雑な形状を介した電荷輸送特性を明らかにするために、電気化学インピーダンス法を用いて、種々のGaN多孔質構造界面の評価を行った。