[14a-P6-1~20] 13.8 Compound and power electron devices and process technology

[14a-P6-2] Study on selective-area formation of GaN porous structures

〇Satoru Matsumoto¹, Yusuke Kumazaki¹, Taketomo Sato¹ (1.RCIQE,Hokkaido Univ.)

Keywords:GaN, semiconductor

膨大なエネルギーを有する太陽光を、活用しやすい電気、化学エネルギーに変換する材料としてGaNを始めとした窒化物半導体が注目されている。我々はエネルギー変換効率の改善方法として、ナノサイズ孔が高密度配列した多孔質構造の形成について研究を進めてきたが、孔の形成位置がランダムであることが課題であった。本研究ではリソグラフィにより作製した加工基板を用いて、GaN多孔質構造の選択領域形成を試みた。