[14a-P6-1~20] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[14a-P6-16] ALD-SiO₂/AlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性における成膜温度依存性

〇久保 俊晴¹、江川 孝志¹ (1.名工大)

キーワード：GaN、MIS-HEMT、ALD

GaN系トランジスタは、次世代パワーデバイスとして期待されている。本研究では、誘電率は比較的低いが、バンドギャップが大きく、絶縁膜として広く研究されている一方、ALD成膜によるMIS-HEMTデバイスの報告が十分には為されていないSiO₂に着目し、MISデバイスの電気特性のSiO₂成膜温度依存性を評価した。その結果、SiO₂成膜では高い成膜温度がALDプロセスにおける酸化に有利であることが示された。