[14a-P6-1~20] 13.8 Compound and power electron devices and process technology

[14a-P6-17] Properties of SiO₂/InAlN Interface with Plasma Oxide Interlayer

〇atsushi seino¹, Naoshige Yokota¹, Masamichi Akazawa¹ (1.RCIQE, Hokkaido Univ.)

Keywords:Nitride, InAlN

GaNとの格子整合が可能なInAlNは、HEMTのバリア層の材料として有用である。HEMTへの応用において、絶縁膜を導入しMOSゲートとすることでリーク電流の低減、さらには400 GHzの遮断周波数が達成されている。SiO₂は大きな禁制帯幅を有するので絶縁体層として有用である。また、プラズマ酸化による酸化膜はFETへの応用で実績があり、InAlNと比較的良好な界面を形成することが期待される。本報告においては、SiO₂/InAlN界面へのプラズマ酸化層挿入により界面準位低減に成功した結果を報告する。