[14a-P6-1~20] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[14a-P6-7] 自立基板の劈開面に形成したn-GaNショットキー接触の評価 (3)
－－電流-電圧特性の温度依存性－－

〇今立 宏美¹、青木 俊周¹、三島 友義²、塩島 謙次¹ (1.福井大院工、2.法政大)

キーワード：m面n-GaN、I-V-T特性

我々はGaN結晶の劈開性を利用して、清浄なn-GaN自立基板の非極性面(m面)にショットキー電極を形成し、I-V-T測定を行った。I-V-T特性から、温度が上昇するにつれ、障壁高さが増大し、n値が減少する傾向を示した。この結果は、電極界面に障壁高さの異なる領域が存在するパッチモデルが適用できることを示唆している。