[14p-A21-1~13] 窒化物半導体の最前線　－欠陥のない結晶・デバイスを目指して－

[14p-A21-2] 窒化物デバイスの新展開

〇葛原 正明¹ (1.福井大院工)

キーワード：窒化物半導体、電子デバイス、HEMT

GaNを代表とする窒化物半導体は、ワイドバンドギャップ半導体でありながら直接遷移型のバンド構造を有する。このため、高耐圧かつ耐高温動作に加えて、高い低電界移動度を利用した高速・高周波動作にも適するという極めて魅力的でユニークな特徴を有する。本稿では、GaNのパワー応用で重要因子となる絶縁破壊電界と移動度に注目し、デバイスの今後の新展開を論じてみたい。