[14p-A21-1~13] 窒化物半導体の最前線　－欠陥のない結晶・デバイスを目指して－

[14p-A21-4] 窒化物半導体における窒素極性成長

〇松岡 隆志¹ (1.東北大学金研)

キーワード：窒化物半導体、極性

窒化物半導体からなる青色LEDは商品化されて20年が経とうとしている。H-DVD用レーザにおいても10^5~6/cm²であり、光通信用InGaAsP系半導体に比べて2～3桁高い。今後の電子デバイス応用を考えると、結晶性の大幅な改善が必要である。InGaAlN組成拡大技術も必要である。このような現状を踏まえて、N極性成長の現状とその可能性について述べる。