[14p-A21-1~13] 窒化物半導体の最前線　－欠陥のない結晶・デバイスを目指して－

[14p-A21-7] STEMによるGaN層中の貫通転位芯の解析

〇松原 徹^1,2、杉本 浩平¹、河原 慎¹、岡田 成仁¹、只友 一行¹ (1.山口大学院・創成科学、2.UBE科学分析センター)

キーワード：転位芯、走査型透過電子顕微鏡

我々はこれまで貫通転位を断面ならびに平面方向から走査型透過電子顕微鏡（STEM）観察し、転位芯の原子配置を評価してきた。提案されている転位芯の構造に加えて、a-typeの転位でありながら周囲に対する変位を有する転位芯を見出した。しかしながら、このような転位芯がどの程度の頻度で存在するかは不明であった。本研究ではMOVPEおよびHVPEにより成長したGaN層中の貫通転位芯の構造およびその存在頻度をSTEMにより調査した。