[14p-A26-1~16] 6.2 カーボン系薄膜

△ [14p-A26-10] C-HダイヤモンドMOSFETの動作特性の温度依存性

〇(B)大井 信敬¹、工藤 拓也¹、牟田 翼¹、松村 大輔¹、大久保 智¹、稲葉 優文¹、平岩 篤¹、川原田 洋^1,2 (1.早大理工、2.早大材研)

キーワード：ダイヤモンド、mosfet、半導体

ダイヤモンドのパワーデバイス応用において、高温動作特性は重要な指標である。これまで我々はダイヤモンド表面を水素終端化（C-H）することによって表面に誘起される2DHGをチャネルに利用したC-HダイヤモンドMOSFETを作製し、10~673 Kでの安定動作、高い絶縁破壊電圧特性を報告してきた。本研究では、厚いゲート絶縁膜のMOSFETを作製し、FET動作の温度依存性を評価し、C-HダイヤモンドMOSFETにおける特性変化を観測した。