[14p-A33-1~15] 機能性原子薄膜材料の新展開－成膜技術－

[14p-A33-3] CVD法によるh-BNリボンの自己組織的形成

〇近藤 大雄^1,2、林 賢二郎^1,2、片岡 真紗子¹、岩井 大介¹、佐藤 信太郎^1,2 (1.富士通研、2.富士通)

キーワード：h-BN、CVD、自己組織的形成

次世代チャネル材料であるグラフェンの電気特性向上にはその下地となる材料の選定が鍵であり、優れた絶縁性を示すh-BNはその候補の一つである。前回までの報告でグラフェンの下地として好適な数nm程度以下の厚みのh-BN多層膜がエピタキシャル金属触媒を用いて合成可能であることを示してきた。今回、合成条件の制御により自己組織的にh-BNリボンを形成できることが明らかとなったので、その構造や合成プロセスについて詳細に報告する。