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[14p-A33-7] GaAs{111}A, B表面上でのMoSe2単層膜成長
キーワード:遷移金属ダイカルコゲナイド、走査トンネル顕微鏡、分子線エピタキシー
WS2やMoSe2をはじめとする第6周期遷移金属ダイカルコゲナイド(TMDC)が注目を集めている。本研究では、原子レベルでの層数制御に適した薄膜成長手法である分子線エピタキシー(MBE)法を用いてGaAs{111}表面上にMoSe2薄膜を成長させ、その成長モードをRHEED、STM、XPSを用いて評価する。