[14p-A35-1~12] 13.9 光物性・発光デバイス

△ [14p-A35-3] TMAS誘導シリカへの包埋によるInP/ZnS量子ドット蛍光体の高耐光性化

〇(M1)渡邉 太一¹、和田 知歌子¹、磯 由樹¹、磯部 徹彦¹、佐々木 洋和² (1.慶大理工、2.昭栄化学工業)

キーワード：量子ドット、親水化、耐光性

コア/シェル型InP/ZnS量子ドット蛍光体は白色LEDへの応用に適した蛍光特性を有するが、励起光の照射に伴い大気中の酸素と反応して劣化することが報告されている。そこで本研究では、InP/ZnS量子ドット表面に配位した1-ドデカンチオールを3-メルカプトプロピオン酸に置換することで親水化し、親水性マトリックスであるテトラメチルアンモニウムシリケート(TMAS)誘導シリカに包埋して耐光性の向上を図った。