[14p-A37-1~17] 6.4 Thin films and New materials

△ [14p-A37-12] Low-temperature solid-phase epitaxial crystallization of impurity-doped β-Ga₂O₃ thin films by excimer laser annealing

〇hiroki uchida¹, kisho nakamura¹, nobuo tsuchimine², koji koyama³, satoru kaneko^4,1, akifumi matsuda¹, mamoru yoshimoto¹ (1.Tokyo Inst. of Tech., 2.TOSHIMA Manu., 3.NamikiPrecisionJewel, 4.KanagawaInd.Tech.Cen.)

Keywords:Gallium oxide, Laser annealing

β-Ga₂O₃エピタキシャル薄膜はエレクトロニクスへの広い応用が期待されており、ドナーを用いたキャリア濃度制御の報告もある。結晶成長を制御することにより界面急峻性の改善などデバイスプロセスの進展に寄与することができる。本研究では不純物ドープGa₂O₃非晶質薄膜のELAによる低温エピタキシャル結晶化を目的とし、レーザー照射条件による結晶性への影響、およびドーパントによる薄膜の構造や導電性への影響について検討した。