[14p-A37-1~17] 6.4 薄膜新材料

△ [14p-A37-14] 擬VLS法によるIn₂O₃のグラフォエピタキシャル成長

〇呉 東広平¹、吉松 公平¹、大友 明^1,2 (1.東工大物質理工学院、2.元素戦略)

キーワード：酸化インジウム、グラフォエピタキシー

デバイス低コスト化を目指し，単結晶薄膜を非晶質基板上で得る技術であるグラフォエピタキシーに着目した．しかしながら，グラフォエピタキシーの過去の報告例はシリコン，ゲルマニウムといった単体が主であり，酸化物といった化合物の報告例は僅かである．今回，我々は逆ピラミッドテクスチャSiO₂/Si基板上において，擬VLS法により酸化インジウムのグラフォエピタキシーを実現した．