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△ [14p-A37-15] パルスレーザー液相エピタキシーによる3C-SiCヘテロエピタキシャル成長
キーワード:半導体、SiC、薄膜
SiCは優れた半導体物性を有し,次世代のパワーデバイス材料として注目されている.SiC結晶多形の1つである3C-SiCは,単結晶の育成が困難とされている.一方当研究室では,パルスレーザー堆積法ベースののVapor-Liquid-Solid法であるパルスレーザー液相エピタキシー法により,4H-SiC基板上に高品質な単結晶3C-SiC薄膜の作製に成功している.そこで今回,パルスレーザー液相エピタキシー法により,Al2O3基板上で3C-SiCヘテロエピタキシャル成長を試みたので報告する.