[14p-A37-1~17] 6.4 Thin films and New materials

△ [14p-A37-5] Thin Film Growth of Antiperovskite Manganese Nitride by Pulsed Laser Deposition

〇Ryo Miyamoto¹, Koki Kanazawa¹, Toshiki Matsumoto¹, Takafumi Hatano¹, Kazumasa Iida¹, Hiroshi Ikuta¹ (1.Nagoya Univ.)

Keywords:manganese nitride, thin film, pulsed laser deposition

逆ペロブスカイト型マンガン窒化物Mn₃ANは、Aサイトに様々な元素を置換することで様々な物性を示し、工業的応用が期待される。しかし、これらの物性の発現機構は未解明な点も多く、単結晶試料による物性評価が望まれている。単結晶試料については、高温高圧化で行われたMn₃GaNの成長例はあるが、得られた試料は非常に小さい。そこで、我々はPLD法で結晶性の高いエピタキシャルMn₃CuN薄膜の作製に成功した。今回Mn₃GaN薄膜の作製を行い比較する。