[14p-A37-1~17] 6.4 薄膜新材料

△ [14p-A37-8] FeドープNiOエピタキシャル薄膜の室温作製と特性評価

〇高野 詩織¹、藤元 勇希¹、土嶺 信男²、金子 智^3,1、松田 晃史¹、吉本 護¹ (1.東工大物質理工、2.（株）豊島製作所、3.神奈川産技センター)

キーワード：酸化ニッケル、エピタキシャル、ドープ

新規な半導的および磁性特性発現を目的とし、FeドープNiOエピタキシャル薄膜の室温成長と物性に及ぼすド―パントの影響について検討した。Fe のようにNiとは内殻磁性電子数の異なる遷移金属をド―パントとして用いた場合、電子キャリア注入、格子歪・反強磁性スピン秩序の崩壊、など構造や物性の変化が期待できる。また、ドーパントの再蒸発や析出を抑制し、高濃度ドーピングを達成するため室温において薄膜合成を行った。