2016年 第77回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.4 薄膜新材料

[14p-A37-1~17] 6.4 薄膜新材料

2016年9月14日(水) 13:15 〜 17:45 A37 (306-307)

鈴木 基史(京大)、岩田 展幸(日大)

15:00 〜 15:15

[14p-A37-8] FeドープNiOエピタキシャル薄膜の室温作製と特性評価

高野 詩織1、藤元 勇希1、土嶺 信男2、金子 智3,1、松田 晃史1、吉本 護1 (1.東工大物質理工、2.(株)豊島製作所、3.神奈川産技センター)

キーワード:酸化ニッケル、エピタキシャル、ドープ

新規な半導的および磁性特性発現を目的とし、FeドープNiOエピタキシャル薄膜の室温成長と物性に及ぼすド―パントの影響について検討した。Fe のようにNiとは内殻磁性電子数の異なる遷移金属をド―パントとして用いた場合、電子キャリア注入、格子歪・反強磁性スピン秩序の崩壊、など構造や物性の変化が期待できる。また、ドーパントの再蒸発や析出を抑制し、高濃度ドーピングを達成するため室温において薄膜合成を行った。