[14p-B7-1~17] IV族半導体薄膜の結晶化と欠陥制御

[14p-B7-11] IV族半導体における点欠陥と拡散

〇植松 真司¹ (1.慶大　理工、TCAD研究開発センター)

キーワード：拡散、点欠陥

Si、Ge、および、SiCにおける点欠陥と拡散について紹介する。まず、重要な点欠陥である格子間原子と空孔について述べ、その振る舞いが不純物拡散をどのように支配しているかについて解説する。さらに、GeとSiGe、および、SiCにおける拡散について、Siとの相違点に着目しながら概説する。