[14p-B7-1~17] IV族半導体薄膜の結晶化と欠陥制御

[14p-B7-12] 界面ナノ構造埋め込みを利用したIV族半導体結晶中へのドーピング法

〇三木 一司^1,2、村田 晃一^1,2、Kirkham Christopher^2,3,4、David Bowler^3,4 (1.物材機構、2.筑波大数物、3.LCN、4.UCL)

キーワード：δドーピング、アニール、シリコン

界面ナノ構造をドーパント源として利用する、シリコン半導体のδドーピング法について報告する。このドーピング法では、アニール等を利用して、（アモルファスシリコン層等で埋め込んだ）界面ナノ構造を破壊し、電気的な欠陥を抑制しながら、構成原子をシリコン結晶の格子置換位置に配置し電気的活性化を実現する。本発表では、IV族半導体におけるドーピング技術の更なる発展がパラダイム・シフトを引き起こす新機能創発に繋がることを期待し、これまでに得られたマンガン及びビスマスのδドーピング技術を系統的に示す。