2016年 第77回応用物理学会秋季学術講演会

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シンポジウム(口頭講演)

シンポジウム » IV族半導体薄膜の結晶化と欠陥制御

[14p-B7-1~17] IV族半導体薄膜の結晶化と欠陥制御

2016年9月14日(水) 12:30 〜 19:15 B7 (展示ホール内)

松尾 直人(兵庫県立大)、東 清一郎(広島大)、宇佐美 徳隆(名大)、米永 一郎(東北大)

17:15 〜 17:30

[14p-B7-12] 界面ナノ構造埋め込みを利用したIV族半導体結晶中へのドーピング法

三木 一司1,2、村田 晃一1,2、Kirkham Christopher2,3,4、David Bowler3,4 (1.物材機構、2.筑波大数物、3.LCN、4.UCL)

キーワード:δドーピング、アニール、シリコン

界面ナノ構造をドーパント源として利用する、シリコン半導体のδドーピング法について報告する。このドーピング法では、アニール等を利用して、(アモルファスシリコン層等で埋め込んだ)界面ナノ構造を破壊し、電気的な欠陥を抑制しながら、構成原子をシリコン結晶の格子置換位置に配置し電気的活性化を実現する。本発表では、IV族半導体におけるドーピング技術の更なる発展がパラダイム・シフトを引き起こす新機能創発に繋がることを期待し、これまでに得られたマンガン及びビスマスのδドーピング技術を系統的に示す。