[14p-B7-1~17] IV族半導体薄膜の結晶化と欠陥制御

[14p-B7-4] 大気圧プラズマによるIV族半導体薄膜の結晶成長と欠陥制御

〇東 清一郎¹ (1.広大院先端研)

キーワード：薄膜トランジスタ、大気圧プラズマ、結晶成長

日本語：大気圧マイクロ熱プラズマジェット照射により形成した溶融シリコン領域を高速挿引する横方向結晶成長をアモルファスシリコン細線に適用することによって局所短結晶成長を達成した．更に溶融シリコンの過度な温度上昇を抑制し，ラプラス圧による融液の移動と粒内欠陥発生を抑制することで，平均移動度503 cm²V^-1s^-1，閾値電圧1.7 Vの高性能且つバラつきの小さな薄膜トランジスタの作製に成功した．