[14p-C31-1~13] 3.7 Laser processing

△ [14p-C31-4] Al Doping to 4H-SiC with Si passivation films by laser irradiation in AlCl₃ acid solution

〇(M1)Tomohiro Tsuchiya¹, Hiroshi Ikenoue¹, Akira Suwa¹, Akihiro Ikeda¹, Daisuke Nakamura¹, Tanemasa Asano¹ (1.Kyushu Univ.)

Keywords:Si passivation films, 4H-SiC, laser doping

本研究グループでは、溶液中レーザー照射法により局所瞬時アニールを行い、基板の温度上昇を抑制した状態で不純物注入と同時活性化を達成したが、僅かに表面に発生するアブレーションが問題になっていた。本研究では、4H-SiC表面にSi薄膜(膜厚 100nm)を形成することで、4H-SiC表面のレーザーアブレーションの抑制を達成した。また、不純物高濃度注入、同時活性化も同時に達成したことを示す報告である。