[14p-C31-1~13] 3.7 レーザープロセシング

△ [14p-C31-4] Si保護膜を用いた4H-SiCへのAlCl₃水溶液中レーザ照射によるAlドーピング

〇(M1)土屋 知大¹、池上 浩¹、諏訪 輝¹、池田 晃裕¹、中村 大輔¹、浅野 種正¹ (1.九州大シス情)

キーワード：Si保護膜、4H-SiC、レーザードーピング

本研究グループでは、溶液中レーザー照射法により局所瞬時アニールを行い、基板の温度上昇を抑制した状態で不純物注入と同時活性化を達成したが、僅かに表面に発生するアブレーションが問題になっていた。本研究では、4H-SiC表面にSi薄膜(膜厚 100nm)を形成することで、4H-SiC表面のレーザーアブレーションの抑制を達成した。また、不純物高濃度注入、同時活性化も同時に達成したことを示す報告である。