[14p-P10-1~25] 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」（ポスター）

[14p-P10-20] 溶液法により形成した高抵抗AZO薄膜をバッファ層に用いたAZO積層薄膜トランジスタの作製と評価

〇木村 史哉¹、佐々木 祥太¹、孫 屹¹、小山 政俊¹、前元 利彦¹、佐々 誠彦¹ (1.阪工大ナノ材研)

キーワード：酸化物半導体、薄膜トランジスタ、溶液法

前回の春応物学術講演会では，低コスト金属のアルミニウム(Al)を添加したレアメタルフリーなAl-doped ZnO (AZO)前駆体溶液を用いて，焼結時の雰囲気を変えてAZO膜を作製し，結晶性と光透過性の評価，TFTの作製と直流特性の評価について報告した．今回，AZO-TFTの特性改善を目指し，Al組成を高めた高抵抗なAZO薄膜を溶液法で形成しバッファ層として用いることで，AZO-TFTの伝達特性におけるヒステリシスが改善したので，それらの結果について報告する．