[14p-P10-1~25] 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」（ポスター）

[14p-P10-21] IZO薄膜トランジスタのヒステリシス特性改善の検討

〇(M2)大溝 悠樹¹、新屋 翔太郎¹、小山 政俊¹、前元 利彦¹、佐々 誠彦¹ (1.大阪工大　ナノ材研)

キーワード：酸化亜鉛、薄膜トランジスタ