[14p-P10-1~25] 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」（ポスター）

△ [14p-P10-22] 酸化物TFTの発熱抑制構造

〇(D)木瀬 香保利¹、藤井 茉美¹、Bermundo Juan Paolo¹、石河 泰明¹、浦岡 行治¹ (1.奈良先端大)

キーワード：透明アモルファス酸化物半導体、自己発熱、信頼性

近年，高性能・高信頼性デバイスの駆動素子材料としてアモルファスInGaZnOに代表される透明アモルファス酸化物半導体(TAOS)が次世代のディスプレイ用素子として注目されている．このような素子の長期信頼性を確保するためには，劣化要因の一つである自己発熱による劣化メカニズムを深く理解することが重要である．本研究ではこれを素子構造の面から解明し，メカニズムに則し発熱劣化を抑制する素子構造を考案することを目的とする．