The 77th JSAP Autumn Meeting, 2016

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Poster presentation

Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices" » Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"(Poster)

[14p-P10-1~25] Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"(Poster)

Wed. Sep 14, 2016 1:30 PM - 3:30 PM P10 (Exhibition Hall)

1:30 PM - 3:30 PM

[14p-P10-3] Low temperature growth of ZnO film under nitrogen atmosphere

Kenji Yoshino1, Akiko Mochihara1, HImeka Tominaga1, Toshio Naka2 (1.Univ. Miyazaki, 2.Toso-finechem2)

Keywords:ZnO

近年、透明導伝膜を豊富で安価なZn を用いた酸化亜鉛(ZnO)を非真空で成膜することで低
コスト化を図ることが注目されている。これまでに希釈したジエチル亜鉛(DEZ)原料を用
いて、大気中でスピンコート法により低温(100℃以下)でのZnO 薄膜作製に成功した。本研
究では、新規材料を用いて窒素雰囲気下でスピンコート法を用いてZnO 薄膜の成膜を検討した。