The 77th JSAP Autumn Meeting, 2016

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Poster presentation

Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices" » Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"(Poster)

[14p-P10-1~25] Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"(Poster)

Wed. Sep 14, 2016 1:30 PM - 3:30 PM P10 (Exhibition Hall)

1:30 PM - 3:30 PM

[14p-P10-4] Low temperature growth of ZnMgO film grown by spin-coated method

Himeka Tominaga1, 〇Kenji Yoshino1, Takashi Minemoto2, Shen Qing3, Taro Toyoda3, Yuhei Ogomi4, Shuji Hayase4 (1.Univ. Miyazaki, 2.Ritsumeikan Univ, 3.Univ. Electro-comm., 4.Kyusyu Inst.Tech)

Keywords:ZnMgO, Spin coat

近年、透明伝導膜は低コストやレアメタルの問題などで、ZnO がITO やFTO の代替材料とし
て注目されている。ZnO は、ITO やFTO に比べて、バンドギャップが小さい。太陽電池の高
効率化のためには、ZnO のバンドギャップを大きくし、短波長の光を取り組むことが重要であ
る。そこで、ZnO にMg を添加することでZnMgO を作製する。これまでに、希釈したジエチル
亜鉛(DEZ)を用いて、低温でZnO の作製に成功している。本研究では報告の少ないスピン
コート法によりZnMgO を室温で作製し、アニール温度変化を観察した。